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RUR040N02TL 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 21:56:56 查看 閱讀�8

RUR040N02TL 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝。該器件適用于需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式� TO-263(DPAK),能夠提供良好的散熱性能�
  � MOSFET 的最大額定電壓為 200V,非常適合于高壓�(yīng)用環(huán)境。同�(shí),其�(yōu)化的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性使其成為電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種工業(yè)控制�(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  連續(xù)漏極電流�4A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�150mΩ
  柵極電荷(典型值)�13nC
  總電容(輸入電容):480pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� to 175�
  封裝形式:TO-263(DPAK�

特�

RUR040N02TL 具有以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓:200V,確保在高壓條件下的�(wěn)定運(yùn)行�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻:在特定條件下,導(dǎo)通電阻僅� 150mΩ,從而減少傳�(dǎo)損耗并提高效率�
  3. 快速開�(guān)能力:較小的柵極電荷和總電容使其能夠?qū)崿F(xiàn)高速開�(guān)操作,適用于高頻�(yīng)��
  4. 高可靠性:通過�(yán)格的�(cè)試和篩選流程,保證器件在極端溫度范圍�(nèi)的穩(wěn)定��
  5. 良好的熱性能:采� TO-263 封裝,有助于更有效地散發(fā)熱量,延�(zhǎng)使用壽命�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�

�(yīng)�

RUR040N02TL 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
  3. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變��
  4. 家用電器中的電磁�、洗衣機(jī)等產(chǎn)品�
  5. 照明系統(tǒng),如 LED �(qū)�(dòng)��
  6. 各類電池充電器及保護(hù)電路�
  由于其高耐壓能力和低�(dǎo)通電�,該器件特別適合需要高效能與可靠性的高壓開關(guān)�(yīng)用場(chǎng)景�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP40NF06L
  FDP047N06L

rur040n02tl推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

rur040n02tl資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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rur040n02tl參數(shù)

  • 特色�(chǎn)�ECOMOS? Series MOSFETs
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫歐 @ 4A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.3V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs8nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds680pF @ 10V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TSMT3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱RUR040N02TLTR