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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRF3808PBF

IRF3808PBF 發(fā)布時間 時間�2024/8/23 15:20:04 查看 閱讀�902

這款先進的平面條紋HEXFET?功率MOSFET利用最新的加工技�(shù),實�(xiàn)了每硅面積極低的�(dǎo)通電�。這種HEXFET功率MOSFET的其他特點是175°C的結(jié)工作溫度、低RθJC、快速開�(guān)速度和改進的重復(fù)雪崩額定�。這種組合使該�(shè)計成為在各種�(yīng)用中使用的極其高效和可靠的選��

�(yōu)勢說�

先進工藝技�(shù)
  超低�(dǎo)通電�
  動態(tài)dv/dt額定�
  175°C工作溫度
  快速切�
  允許高達Tjmax的重�(fù)雪崩
  無鉛

典型�(yīng)�

  工業(yè)電機�(qū)�

技�(shù)參數(shù)

額定功率�330 W
  針腳�(shù)�
  漏源極電阻:0.007Ω
  極性:N-Channel
  耗散功率�330 W
  閾值電壓:4 V
  輸入電容�5310pF 25V
  漏源極電�(Vds)�75 V
  漏源擊穿電壓�75 V
  連續(xù)漏極電流(Ids)�140A
  上升時間�140 ns
  輸入電容(Ciss)�5310pF 25V(Vds)
  額定功率(Max)�330 W
  下降時間�120 ns
  工作溫度(Max)�175�
  工作溫度(Min)�-55�
  耗散功率(Max)�330W(Tc)

封裝參數(shù)

安裝方式:Through Hole
  引腳�(shù)�
  封裝:TO-220-3

外形尺寸

長度�10.67 mm
  寬度�4.83 mm
  高度�16.51 mm
  封裝:TO-220-3

符合標準

RoHS標準:RoHS Compliant
  含鉛標準:Lead Free

其他

�(chǎn)品生命周期:Active
  包裝方式:Tube
  制造應(yīng)用:電源

irf3808pbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf3808pbf資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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irf3808pbf參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)75V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C140A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 毫歐 @ 82A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs220nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5310pF @ 25V
  • 功率 - 最�330W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF3808PBF