這款先進的平面條紋HEXFET?功率MOSFET利用最新的加工技�(shù),實�(xiàn)了每硅面積極低的�(dǎo)通電�。這種HEXFET功率MOSFET的其他特點是175°C的結(jié)工作溫度、低RθJC、快速開�(guān)速度和改進的重復(fù)雪崩額定�。這種組合使該�(shè)計成為在各種�(yīng)用中使用的極其高效和可靠的選��
先進工藝技�(shù)
超低�(dǎo)通電�
動態(tài)dv/dt額定�
175°C工作溫度
快速切�
允許高達Tjmax的重�(fù)雪崩
無鉛
工業(yè)電機�(qū)�
額定功率�330 W
針腳�(shù)�
漏源極電阻:0.007Ω
極性:N-Channel
耗散功率�330 W
閾值電壓:4 V
輸入電容�5310pF 25V
漏源極電�(Vds)�75 V
漏源擊穿電壓�75 V
連續(xù)漏極電流(Ids)�140A
上升時間�140 ns
輸入電容(Ciss)�5310pF 25V(Vds)
額定功率(Max)�330 W
下降時間�120 ns
工作溫度(Max)�175�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�330W(Tc)
安裝方式:Through Hole
引腳�(shù)�
封裝:TO-220-3
長度�10.67 mm
寬度�4.83 mm
高度�16.51 mm
封裝:TO-220-3
RoHS標準:RoHS Compliant
含鉛標準:Lead Free
�(chǎn)品生命周期:Active
包裝方式:Tube
制造應(yīng)用:電源