時間：2025/5/30 19:02:53
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RQW180N03是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管，采用TO-252封裝形式。該器件適用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特性，能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
該MOSFET在設(shè)計上注重高性能與可靠性，其出色的電氣性能使其成為眾多功率轉(zhuǎn)換電路的理想選擇。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：180A
導(dǎo)通電阻（典型值）：3.5mΩ
柵極電荷：47nC
開關(guān)時間：開啟延遲時間11ns，下降時間22ns
工作結(jié)溫范圍：-55℃至175℃
RQW180N03具備超低導(dǎo)通電阻，可顯著減少傳導(dǎo)損耗，從而提高整體效率。同時，該器件具有快速的開關(guān)特性，有助于降低開關(guān)損耗。
此外，它還擁有較高的雪崩能量承受能力，能夠在異常條件下提供更好的保護(hù)功能。器件的小型化封裝使其非常適合空間受限的應(yīng)用場景，同時保持良好的散熱性能。
該MOSFET廣泛應(yīng)用于消費類電子、工業(yè)控制和汽車電子等領(lǐng)域。具體應(yīng)用場景包括但不限于：
- 開關(guān)模式電源（SMPS）中的主開關(guān)管或同步整流管
- 電動工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動
- 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路
- 各類DC/DC轉(zhuǎn)換器模塊
RQW180N03憑借其卓越的性能表現(xiàn)，為工程師提供了靈活且高效的解決方案。
RQW160N03L, IRFZ44N, FDP187N
