IRF7343ITRPBF是一款雙N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由Vishay International Rectifier制�。該器件集成了兩個獨立的MOSFET,分別具有不同的�(dǎo)通電阻和電壓等級,適用于各種功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。其�(shè)計旨在降低開�(guān)損耗并提高效率,廣泛應(yīng)用于DC-DC�(zhuǎn)換器、同步整流電路以及負載開�(guān)等場��
這款芯片采用了TSSOP-8封裝形式,能夠顯著減少寄生電�,并且提供卓越的散熱性能。通過�(yōu)化柵極電荷和�(dǎo)通電阻之間的�(quán)�,IRF7343ITRPBF在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
型號:IRF7343ITRPBF
封裝形式:TSSOP-8
Vds(漏源擊穿電壓)�30V / 20V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�9mΩ(典型�,Vgs=10V�/ 15mΩ(典型�,Vgs=10V�
Id(連續(xù)漏電流)�36A / 32A
Qg(柵極電荷)�14nC / 20nC
BVDSS(漏源極間額定電壓)�30V / 20V
fT(特征頻率)�1.5MHz / 2.4MHz
工作溫度范圍�-55℃至+150�
輸入電容�1220pF / 1720pF
IRF7343ITRPBF具備以下主要特性:
1. 集成雙MOSFET�(jié)�(gòu),一個為30V/9mΩ,另一個為20V/�
2. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低傳導(dǎo)損��
3. 小巧的TSSOP-8封裝形式,節(jié)省PCB空間并提升熱性能�
4. 柵極電荷低,適合高頻開關(guān)�(yīng)��
5. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下�(wěn)定運��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛工��
7. 可靠性高,適用于嚴苛的工�(yè)及汽車級�(yīng)用場��
IRF7343ITRPBF的應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高端和低端開�(guān)�
2. 同步整流電路以提高效��
3. 負載開關(guān)和電源管理模��
4. 電池保護與管理系�(tǒng)�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)��
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制電��
7. 電機�(qū)動和逆變器應(yīng)��
8. 開關(guān)模式電源(SMPS)設(shè)��
9. 各類消費類電子產(chǎn)品中的高效功率解決方��
IRF7303TRPBF, IRF7344TRPBF