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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > RHTVSDF01521N-S

RHTVSDF01521N-S 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 17:09:06 查看 閱讀�9

RHTVSDF01521N-S 是一款高性能� MOSFET 場效�(yīng)晶體�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等領(lǐng)�。該器件采用了先進的制造工藝,具備低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  其封裝形式為 SOT-23,具有良好的散熱性能和緊湊的�(shè)�,非常適合空間受限的�(yīng)用場��

參數(shù)

類型:N溝道增強� MOSFET
  最大漏源電�(Vdss)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�4.8A
  導通電�(Rds(on))�35mΩ (典型值,� Vgs=10V �)
  柵極電荷(Qg)�12nC (典型�)
  開關(guān)時間:開啟延遲時�(td(on))=8ns,關(guān)斷傳播時�(td(off))=15ns
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55� � +150�
  封裝形式:SOT-23

特�

RHTVSDF01521N-S 的主要特性包括:
  1. 低導通電�,可顯著降低傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. 小型化封裝設(shè)�,有助于減少 PCB 占用面積�
  4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能�
  5. �(nèi)� ESD 保護功能,增強了器件的可靠��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛材��

�(yīng)�

� MOSFET 器件適用于以下應(yīng)用場景:
  1. 開關(guān)電源中的同步整流和降壓轉(zhuǎn)換器�
  2. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制電路�
  3. 電機�(qū)動中的功率級開關(guān)�
  4. 各類負載開關(guān)及保護電��
  5. 消費類電子產(chǎn)品中� DC/DC �(zhuǎn)換模��
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離與�(qū)動電路�

替代型號

RHTVSDF01522N-S, RHTVSDF01520N-S

rhtvsdf01521n-s推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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