ETQP3M1R0KVP 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等場景。該器件采用先進的封裝技�(shù),能夠顯著降低開�(guān)損耗并提高系統(tǒng)整體效率�
ETQP3M1R0KVP 的設(shè)計旨在滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對高效能和小型化的需�,同時具備出色的熱性能和可靠��
類型:增強型場效�(yīng)晶體�
材料:氮化鎵 (GaN)
最大漏源電壓:600V
最大連續(xù)漏極電流�3A
�(dǎo)通電阻:160mΩ
柵極電荷�35nC
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
封裝形式:TO-252
ETQP3M1R0KVP 具有以下主要特性:
1. 高擊穿電壓能�,適用于高壓�(yīng)用環(huán)境�
2. 極低的導(dǎo)通電�,可有效減少傳導(dǎo)損耗�
3. 快速開�(guān)速度,元件尺寸�
4. �(nèi)置保護功�,包括過流保護和短路保護,提升系�(tǒng)的可靠性和安全��
5. �(yōu)秀的熱性能,有助于簡化散熱�(shè)計并降低系統(tǒng)成本�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到各種工�(yè)和消費類電子�(chǎn)品中�
這款 GaN 功率晶體管適用于以下�(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源(SMPS),如適配器、充電器等�
2. 工業(yè) DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 太陽能逆變器中的高頻電路�
4. 電動工具及家用電器的電機�(qū)��
5. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源和其他需要高效能�(zhuǎn)換的�(lǐng)��
ETQ035M1R0KVP, ETQP3M1R0KVN