時間：2025/5/29 17:20:08
閱讀：6
RFD3055LESM9A 是一款高性能的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），由 Renesas（瑞薩電子）生產(chǎn)。該器件采用 LFPAK88 封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，非常適合用于各種電源管理應(yīng)用中，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動和電池保護(hù)電路等。
這款 MOSFET 的設(shè)計目標(biāo)是為工程師提供高效且可靠的功率轉(zhuǎn)換解決方案，同時降低系統(tǒng)整體功耗。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：14A
導(dǎo)通電阻：1.2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 時）
柵極電荷：25nC（典型值）
開關(guān)時間：ton=11ns，toff=16ns（典型值）
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
RFD3055LESM9A 具有以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
2. 高電流承載能力，能夠支持大功率應(yīng)用。
3. 快速開關(guān)速度，適合高頻開關(guān)應(yīng)用，減少開關(guān)損耗。
4. 緊湊的 LFPAK88 封裝形式，占用較小的 PCB 空間，有利于小型化設(shè)計。
5. 高溫性能優(yōu)異，能夠在極端環(huán)境下可靠運(yùn)行。
6. 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車級應(yīng)用。
7. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能，增強(qiáng)器件的魯棒性。
RFD3055LESM9A 可廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域：
1. 汽車電子 - 包括發(fā)動機(jī)控制單元、電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、制動系統(tǒng)及車載充電器等。
2. 工業(yè)設(shè)備 - 用于伺服驅(qū)動器、逆變器、不間斷電源 (UPS) 和工業(yè)自動化系統(tǒng)。
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品 - 如筆記本電腦適配器、智能手機(jī)快充模塊和家用電器中的電源管理部分。
4. 通信基礎(chǔ)設(shè)施 - 基站電源、路由器和交換機(jī)中的功率轉(zhuǎn)換電路。
5. LED 照明驅(qū)動 - 實(shí)現(xiàn)高效的 LED 照明解決方案。
RFD3055LEM9A, RFD3055LESMA9A
