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SI4823DY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 13:43:50 查看 閱讀：5

SI4823DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)，適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域。
　　這款 MOSFET 的封裝形式為 ThinPAK 8x8（D2PAK 封裝），能夠提供出色的散熱性能，同時(shí)其低柵極電荷和快速開關(guān)速度使其非常適合高頻應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓：55V
　　連續(xù)漏極電流：42A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：1.6mΩ
　　柵極電荷：79nC
　　開關(guān)時(shí)間：ton=10ns, toff=20ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55°C 至 +175°C

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高額定電流能力，適合大功率應(yīng)用。
　　3. 快速開關(guān)速度和低柵極電荷設(shè)計(jì)，優(yōu)化了高頻下的性能。
　　4. 強(qiáng)大的熱性能和耐用性，確保在極端條件下的可靠性。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，并具備無鉛封裝，滿足環(huán)保要求。
　　6. 封裝小巧，易于集成到緊湊型設(shè)計(jì)中。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源（SMPS）
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　3. ORing 二極管替代方案
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
　　5. 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路
　　6. 工業(yè)電源模塊
　　7. 通信設(shè)備中的功率管理

替代型號(hào)

IRF7729TRPBF
　　STP40NF06L
　　FDP047N06L

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si4823dy-t1-ge3資料 更多>

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si4823dy-t1-ge3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • 晶體管極性P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓20 V
  • 閘/源擊穿電壓+/- 12 V
  • 漏極連續(xù)電流3.3 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）108 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作溫度+ 150 C
  • 安裝風(fēng)格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOIC-8 Narrow
  • 封裝Reel
  • 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）6 S
  • 柵極電荷 Qg8 nC
  • 最小工作溫度- 55 C
  • 功率耗散2.8 W
  • 零件號(hào)別名SI4823DY-GE3