RFD14N05LSM9A 是一� N 溝能耗型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),專為高效率和高性能�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高可靠性等特點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換等�(lǐng)��
最大漏源電壓:50V
連續(xù)漏極電流�14A
�(dǎo)通電阻:2.8mΩ
柵極電荷�36nC
開關(guān)�(shí)間:ton=13ns, toff=15ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
RFD14N05LSM9A 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠有效降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)性能,適合高頻開�(guān)�(yīng)��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐用��
4. 小型封裝�(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
� MOSFET 廣泛適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)電路�
3. 電池保護(hù)和負(fù)載切換�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
5. 通信�(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換電��
6. 汽車電子中的各種�(fù)載控制場(chǎng)景�
RFD14N05LSM9, RFD14N05L