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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > RB521S30_R1_00001

RB521S30_R1_00001 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 17:31:53 查看 閱讀�37

RB521S30_R1_00001 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高效率和出色的熱性能。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dòng)�(tài)特性和靜態(tài)特�,適用于需要高效能和高可靠性的電子�(shè)備�
  該芯片主要面向工�(yè)控制、消�(fèi)電子以及汽車電子�(lǐng)�,支持高頻工作環(huán)境下的快速開�(guān)操作,同�(shí)具備良好的短路保�(hù)能力�

參數(shù)

型號(hào):RB521S30_R1_00001
  類型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源電壓)�30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�4.5mΩ
  Id(持�(xù)漏電流)�110A
  Qg(總柵極電荷):35nC
  EAS(雪崩能量)�1.2J
  fsw(最大工作頻率)�1MHz
  封裝形式:TO-247
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

RB521S30_R1_00001 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),顯著降低傳�(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能� (110A),使其能夠適�(yīng)大功率應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 短路耐受�(shí)間長(zhǎng),在極端條件下提供更高的可靠��
  4. �(yōu)異的�(dòng)�(tài)性能,包括較低的柵極電荷和輸出電�,確保高頻應(yīng)用中的高效運(yùn)��
  5. �(nèi)置熱保護(hù)�(jī)�,防止過(guò)�?fù)p壞�
  6. 工作溫度范圍寬廣 (-55℃至+175�),適合惡劣環(huán)境下的使��
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�

�(yīng)�

RB521S30_R1_00001 的典型應(yīng)用包括:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和DC-DC�(zhuǎn)換模��
  4. 太陽(yáng)能逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)的功率管��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電磁閥控制和繼電器�(qū)�(dòng)�
  6. 高效節(jié)� LED 照明�(qū)�(dòng)電路�

替代型號(hào)

RB521S30_R2_00001, IRF3205, FDP5800

rb521s30_r1_00001推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

rb521s30_r1_00001參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�76,462�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �1.51000剪切帶(CT�5,000 : �0.23730卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)肖特�
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值)30 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)200mA
  • 不同 If �(shí)電壓 - 正向 (Vf)500 mV @ 200 mA
  • 速度小信�(hào) =< 200mA(Io�,任意速度
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)-
  • 不同 Vr �(shí)電流 - 反向泄漏100 μA @ 30 V
  • 不同?Vr、F �(shí)電容-
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼SC-79,SOD-523
  • 供應(yīng)商器件封�SOD-523
  • 工作溫度 - �(jié)-55°C ~ 125°C