RB521S30_R1_00001 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高效率和出色的熱性能。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dòng)�(tài)特性和靜態(tài)特�,適用于需要高效能和高可靠性的電子�(shè)備�
該芯片主要面向工�(yè)控制、消�(fèi)電子以及汽車電子�(lǐng)�,支持高頻工作環(huán)境下的快速開�(guān)操作,同�(shí)具備良好的短路保�(hù)能力�
型號(hào):RB521S30_R1_00001
類型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源電壓)�30V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�4.5mΩ
Id(持�(xù)漏電流)�110A
Qg(總柵極電荷):35nC
EAS(雪崩能量)�1.2J
fsw(最大工作頻率)�1MHz
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55℃至+175�
RB521S30_R1_00001 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),顯著降低傳�(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能� (110A),使其能夠適�(yīng)大功率應(yīng)用場(chǎng)��
3. 短路耐受�(shí)間長(zhǎng),在極端條件下提供更高的可靠��
4. �(yōu)異的�(dòng)�(tài)性能,包括較低的柵極電荷和輸出電�,確保高頻應(yīng)用中的高效運(yùn)��
5. �(nèi)置熱保護(hù)�(jī)�,防止過(guò)�?fù)p壞�
6. 工作溫度范圍寬廣 (-55℃至+175�),適合惡劣環(huán)境下的使��
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
RB521S30_R1_00001 的典型應(yīng)用包括:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)管或同步整流��
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和DC-DC�(zhuǎn)換模��
4. 太陽(yáng)能逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)的功率管��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電磁閥控制和繼電器�(qū)�(dòng)�
6. 高效節(jié)� LED 照明�(qū)�(dòng)電路�
RB521S30_R2_00001, IRF3205, FDP5800