RB520S30T5G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅動、逆變器等場景。該器件采用先進的制造工�,在低導通電阻和快速開關速度方面表現(xiàn)出色,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):180A
導通電阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型�,Vgs=10V時)
柵極電荷(Qg):70nC
開關時間:開啟時� 29ns,關斷時� 12ns
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
RB520S30T5G 的主要特點是其超低的導通電阻和高電流承載能�。這種設計使其非常適合于需要高效能和高可靠性的應用場景。此�,它的快速開關特性和低柵極電荷使得其在高頻應用中表現(xiàn)�(yōu)異,同時減少了開關損耗�
該器件還具備出色的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下持�(xù)運行。此外,它具有較高的雪崩耐量和魯棒�,確保了在異常情況下的安全工作�
RB520S30T5G 廣泛應用于多種領�,包括但不限于以下:
1. 開關模式電源 (SMPS)
2. 電動車輛 (EV/HEV) 的電機驅�
3. 工業(yè)逆變器和變頻�
4. DC-DC 轉換�
5. 太陽能逆變器中的功率轉換模�
6. 大功� LED 驅動電路
7. 各類負載切換和保護電�
IRF3205
FDP15N60
STP180N10F5