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GA0603A3R3CBAAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/31 0:09:56 查看 閱讀�13

GA0603A3R3CBAAR31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�。該器件專為高頻和高功率�(yīng)用設(shè)�,具有出色的開關(guān)性能和效�。其封裝形式和電氣特性使其非常適合于射頻放大�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高頻率、低損耗的�(yīng)用場��
  該型號中的具體參�(shù)定義如下�'GA'代表氮化鎵系��'0603'表示芯片尺寸或規(guī)格代��'A3R3'與后�(xù)字符共同確定了具體的電氣參數(shù)、封裝類型及工作條件�

參數(shù)

額定電壓�100V
  額定電流�4A
  �(dǎo)通電阻:25mΩ
  柵極電荷�30nC
  開關(guān)速度:高�5MHz
  封裝形式:CBAAR31G

特�

GA0603A3R3CBAAR31G 的主要特點是采用了先進的氮化鎵半�(dǎo)體材�,這使得它在高頻和高功率密度應(yīng)用中表現(xiàn)出色。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比,氮化鎵晶體管具備更低的�(dǎo)通電阻和更快的開�(guān)速度,從而減少了開關(guān)損耗并提升了整體效率�
  此外,該器件還具有較高的擊穿電壓和良好的熱穩(wěn)定性,能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運�。其緊湊的封裝形式也便于集成到各種電路設(shè)計中�
  典型�(yōu)勢包括:
  - 高效的功率轉(zhuǎn)�
  - 更快的開�(guān)速度
  - 減少的系�(tǒng)體積和重�
  - 支持高頻操作
  - �(wěn)定的電氣性能

�(yīng)�

該型號廣泛應(yīng)用于多種�(xiàn)代電子設(shè)備中,包括但不限于:
  1. 射頻功率放大�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 無線充電模塊
  4. 激光雷達(LiDAR)驅(qū)動電�
  5. 能量收集系統(tǒng)
  6. 快速充電適配器
  這些�(yīng)用場景充分利用了該器件的高頻響應(yīng)能力和高效率特�,使其成為高性能電源管理和信號處理的理想選擇�

替代型號

GA0603A3R3CBXAR31G
  GA0603A3R3CBSAR31G

ga0603a3r3cbaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容3.3 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-