QM09N50F是一款基于硅技術制造的MOSFET功率晶體�,主要用于高頻開關應�。該器件具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱穩(wěn)定性等特�,適用于各種電源轉換和電機驅動場��
該芯片采用N溝道增強型設�,工作電壓范圍廣,能夠滿足多種工�(yè)和消費類電子設備的需�。此外,其封裝形式緊�,便于在空間受限的應用中使用�
最大漏源電壓:500V
連續(xù)漏極電流�9A
導通電阻:0.22Ω
柵極電荷�36nC
開關時間:ton=47ns,toff=85ns
結溫范圍�-55℃至150�
QM09N50F具備以下顯著特性:
1. 高耐壓能力�500V的最大漏源電壓使其適合高壓環(huán)境下的應用�
2. 低導通電阻:0.22Ω的典型導通電阻有助于降低功率損�,提升效��
3. 快速開關性能:較小的柵極電荷和短開關時間使其在高頻電路中表現出色�
4. 熱穩(wěn)定性強:能夠在-55℃至150℃的寬溫度范圍內可靠運行�
5. 小型化設計:緊湊的封裝形式簡化了PCB布局,并節(jié)省了安裝空間�
6. 可靠性高:通過多項質量測試,確保在長時間使用中的穩(wěn)定性和耐用��
QM09N50F廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS):如適配�、充電器和DC-DC轉換��
2. 電機驅動:用于家用電�、工�(yè)自動化設備中的電機控��
3. 能量管理:包括太陽能逆變器和電池管理系統(tǒng)(BMS)�
4. PFC(功率因數校正)電路:提高用電設備的效率并減少諧波污��
5. 固態(tài)繼電器:作為傳統(tǒng)機械繼電器的替代�,提供更快的響應速度和更長的使用壽命�
IRF540N
STP12NK50Z
FDP15N50