Q8006NH4是一款高性能的MOSFET功率晶體�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等場�。該器件采用N溝道增強(qiáng)型技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高電流承載能力的特點(diǎn),適合高頻開�(guān)�(yīng)��
最大漏源電�(Vds)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�120A
柵極閾值電�(Vgs(th))�2.5V~4.5V
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ
總功�(Ptot)�225W
�(jié)溫范�(Tj)�-55℃~175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低功率損��
2. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐用��
3. 快速開�(guān)性能,適合高頻工作環(huán)��
4. 采用TO-247封裝形式,具備良好的散熱性能�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
6. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,提高了器件的可靠��
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(jí)開關(guān)�
2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
3. 大電流負(fù)載開�(guān)的應(yīng)��
4. 逆變器及不間斷電�(UPS)系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電子開�(guān)組件�
IRF840, STP120NF06L, FDP18N60C