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Q8006NH4 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/3/20 17:00:01 查看 閱讀�69

Q8006NH4是一款高性能的MOSFET功率晶體�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等場�。該器件采用N溝道增強(qiáng)型技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高電流承載能力的特點(diǎn),適合高頻開�(guān)�(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�60V
  連續(xù)漏極電流(Id)�120A
  柵極閾值電�(Vgs(th))�2.5V~4.5V
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ
  總功�(Ptot)�225W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55℃~175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低功率損��
  2. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐用��
  3. 快速開�(guān)性能,適合高頻工作環(huán)��
  4. 采用TO-247封裝形式,具備良好的散熱性能�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
  6. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,提高了器件的可靠��

�(yīng)�

1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(jí)開關(guān)�
  2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  3. 大電流負(fù)載開�(guān)的應(yīng)��
  4. 逆變器及不間斷電�(UPS)系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電子開�(guān)組件�

替代型號(hào)

IRF840, STP120NF06L, FDP18N60C

q8006nh4推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
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