PZP003BYB是一款高性能的功率MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減少熱量產(chǎn)生�
這款功率MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)�,適用于多種工業(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的高頻開�(guān)�(yīng)用場(chǎng)��
類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
總功�(Ptot)�180W
�(jié)溫范�(Tj)�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
PZP003BYB具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可以有效降低功率損��
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)正常工作�
4. 提供�(qiáng)大的浪涌電流承受能力,增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性�
5. 封裝�(jiān)固耐用,便于散熱管理,適合大功率應(yīng)用場(chǎng)��
6. 具備�(yōu)秀的電磁兼容�(EMC),可減少�(duì)其他電路模塊的干��
PZP003BYB適用于多種電力電子設(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)�(shè)�(jì)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心開�(guān)元件�
3. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 新能源技�(shù)如太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換部��
6. 汽車電子系統(tǒng)�(nèi)的高效功率管理模��
IRFP2907, STP30NF06L