PMV45EN2 時(shí)間：2025/5/24 20:39:23 閱讀：14

PMV45EN2 是一款 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TO-252 封裝，適用于多種開關(guān)和功率管理應(yīng)用。其設(shè)計(jì)特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓以及出色的開關(guān)性能。這種 MOSFET 常用于電源適配器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，能夠有效提升系統(tǒng)的效率和可靠性。
　　該器件在高溫環(huán)境下依然能保持穩(wěn)定的性能，同時(shí)具備良好的抗雪崩能力，確保在過載或異常情況下不會(huì)輕易損壞。此外，PMV45EN2 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合大規(guī)模生產(chǎn)。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：17A
　　導(dǎo)通電阻：8.5mΩ
　　柵極電荷：16nC
　　總電容：1350pF
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃

特性

PMV45EN2 具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可減少導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高擊穿電壓（Vds）使其能夠在較高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
　　3. 快速開關(guān)速度，降低了開關(guān)損耗。
　　4. 較小的封裝尺寸，便于 PCB 布局和設(shè)計(jì)優(yōu)化。
　　5. 高溫性能優(yōu)異，可在高達(dá) +150℃ 的結(jié)溫下工作。
　　6. 環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)，滿足 RoHS 和其他國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)要求。

應(yīng)用

PMV45EN2 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流和初級(jí)側(cè)開關(guān)。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
　　3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的 H 橋和半橋配置。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
　　6. 汽車電子中的各種功率轉(zhuǎn)換和保護(hù)電路。