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SI1065X-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/6/7 10:57:00 查看 閱讀�581

制造商:Vishay

目錄

概述

制造商:Vishay

�(chǎn)品種類:MOSFET小信�(hào)

RoHS:是

配置:SingleQuadDrain

晶體管極性:P-Channel

汲極/源極擊穿電壓�12V

�/源擊穿電壓:+/-8V

漏極連續(xù)電流�1.18A

功率耗散�236mW

最大工作溫度:+150�

安裝�(fēng)格:SMD/SMT

封裝/箱體:SC-89-6

封裝:Reel

最小工作溫度:-55�

資料

廠商
VISHAY

si1065x-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si1065x-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI1065X
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫歐 @ 1.18A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)950mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs10.8nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds480pF @ 6V
  • 功率 - 最�236mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-563,SOT-666
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-89-6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI1065X-T1-E3TR