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PMV20EN 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 17:05:20 查看 閱讀�31

PMV20EN是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),由Nexperia(原飛利浦半導體)生�(chǎn)。該器件采用SOT23封裝,具有小體積、低功耗和高效率的特點,廣泛應用于各種電子電路中作為開關或放大器元��
  PMV20EN的主要特點是其低導通電阻和快速開關能力,適合用于負載切換、電源管理以及信號調(diào)節(jié)等應用領�。此�,它還具有較高的電流承受能力和耐壓性能,在便攜式設備和消費類電子產(chǎn)品中有廣泛應��

參數(shù)

最大漏源電�(V_DS)�30V
  最大柵源電�(V_GS):�8V
  連續(xù)漏極電流(I_D)�0.2A
  脈沖漏極電流(I_P)�0.4A
  導通電�(R_DS(on))�5.5Ω(在V_GS=4.5V時)
  柵極電荷(Q_g)�1nC
  開關時間:典型值t_on=6ns,t_off=15ns

特�

PMV20EN的特性主要體�(xiàn)在以下幾個方面:
  1. 小尺寸封裝:采用SOT23封裝形式,節(jié)省了PCB板空�,非常適合對空間要求嚴格的便攜式設備�
  2. 低導通電阻:在規(guī)定的工作條件�,PMV20EN的導通電阻僅�5.5Ω,這有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開關能力:其極低的開關時間和較小的柵極電荷使得該MOSFET能夠?qū)崿F(xiàn)高效的高頻開關操��
  4. 高可靠性:PMV20EN�(jīng)過嚴格的�(zhì)量控制流程制�,能夠在惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定工作狀�(tài)�
  5. 寬工作溫度范圍:該器件支持從-55°C�+150°C的工作溫度區(qū)�,適用于多種應用場景�

應用

PMV20EN的應用場景非常廣泛,主要包括�
  1. 消費類電子產(chǎn)品中的負載開關和電源管理模塊�
  2. 便攜式設備如智能手機、平板電腦及可穿戴設備中的電池管理電��
  3. 信號�(diào)節(jié)與處理電路中的開關組��
  4. 各種需要低功耗高性能開關的應用場合�
  5. 工業(yè)控制和汽車電子中的輔助開關功��

替代型號

PMV20UN, BSS138

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