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NJVMJD45H11RLG 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 13:38:47 查看 閱讀�18

NJVMJD45H11RLG 是一款高性能� MOSFET 場效�(yīng)晶體�,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度。該型號專為需要高效率和低功耗的�(yīng)用而設(shè)�(jì),適合用于電源管�、電�(jī)�(qū)動以及各種開�(guān)電路��
  其封裝形式為 TO-263(D2PAK�,具有良好的散熱性能,能夠承受較大的電流�(fù)�,同時保證穩(wěn)定的電氣特性�

參數(shù)

類型:MOSFET
  極性:N-Channel
  最大漏源電壓Vds�60V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  連續(xù)漏極電流Id�80A
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�1.5mΩ(典型值)
  總功耗Ptot�190W
  �(jié)溫范圍Tj�-55� to +175�
  封裝:TO-263(D2PAK�

特�

NJVMJD45H11RLG 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可有效降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適用于高頻開關(guān)�(yīng)�,如 DC/DC �(zhuǎn)換器� PWM 控制電路�
  3. 較高的電流承載能�,確保在大電流條件下�(wěn)定運(yùn)行�
  4. 支持寬范圍的工作溫度,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�
  5. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)器件的可靠��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)�,適合現(xiàn)代電子設(shè)備的要求�

�(yīng)�

NJVMJD45H11RLG 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率控制元��
  3. 各種工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控制開�(guān)�
  5. 汽車電子系統(tǒng)的功率管理模��
  6. LED 照明�(qū)動電路中的電流調(diào)節(jié)元件�

替代型號

NJM2957D, IRFZ44N

njvmjd45h11rlg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

njvmjd45h11rlg參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,800
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�PNP
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)8A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)80V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)1V @ 400mA�8A
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)40 @ 4A�1V
  • 功率 - 最�1.75W
  • 頻率 - �(zhuǎn)�90MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�DPAK-3
  • 包裝帶卷 (TR)