PMEG6002EB115是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,屬于Infineon Technologies(英飛凌)的CoolMOS系列。該器件采用TO-220封裝形式,適用于高效�、高功率密度的應(yīng)用場�,例如開�(guān)電源(SMPS�、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動和逆變器等。PMEG6002EB115以其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性著�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
該器件基于先�(jìn)的硅技�(shù)和優(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),能夠在高頻工作條件下提供卓越的性能表現(xiàn),同�(shí)保持良好的熱�(wěn)定性和可靠��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�2.8A
�(dǎo)通電阻:1.15Ω(典型值,在VGS=10V�(shí)�
柵極電荷�13nC(典型值)
反向恢復(fù)�(shí)間:40ns(典型值)
�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
封裝形式:TO-220
PMEG6002EB115具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力:其額定漏源電壓�600V,能夠適�(yīng)高壓�(yīng)用場�,例如工�(yè)電源或汽車電子系�(tǒng)�
2. 低導(dǎo)通電阻:在VGS=10V�(shí),導(dǎo)通電阻僅�1.15Ω,從而降低了�(dǎo)通損�,提高了整體效率�
3. 快速開�(guān)特性:具備低柵極電荷和短反向恢�(fù)�(shí)�,適合高頻開�(guān)�(yīng)�,可有效降低開關(guān)損��
4. 熱穩(wěn)定性:能夠在高�(dá)150℃的�(jié)溫下可靠工作,確保了器件在惡劣環(huán)境中的穩(wěn)定性�
5. 封裝�(yōu)勢:TO-220封裝便于散熱管理,適合大功率�(yīng)�,且易于安裝在標(biāo)�(zhǔn)印刷電路板上�
6. 高可靠性:通過�(yán)格的�(zhì)量測試,確保長期使用的穩(wěn)定性和一致��
PMEG6002EB115廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):包括適配器、充電器和工�(yè)電源��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:用于汽車電�、通信�(shè)備和消費(fèi)電子�(chǎn)品中�
3. 電機(jī)�(qū)動:支持家用電器、電動工具和工業(yè)自動化中的電�(jī)控制�
4. 逆變器:�(yīng)用于太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
5. PFC電路:提高功率因�(shù)校正電路的效率和性能�
6. 其他高壓、高頻切換應(yīng)用:如電磁閥�(qū)動和LED照明�(qū)動等�
PMEG6002EB110, IPD60R115P7, IRFP460