G5335QT1U是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開關(guān)等電路中。該器件采用Trench技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,適合于高頻開關(guān)應(yīng)用。
這款MOSFET的封裝形式為TO-263(DPAK),具備良好的散熱性能,適用于高功率密度的設(shè)計(jì)場景。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:14A
導(dǎo)通電阻:8mΩ(典型值,在Vgs=10V時(shí))
柵極電荷:17nC(典型值)
開關(guān)速度:快速
工作溫度范圍:-55℃至+150℃
G5335QT1U具有以下顯著特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠有效降低功率損耗,提高整體效率。
2. 快速的開關(guān)速度,使得其非常適合高頻應(yīng)用場合,同時(shí)減少開關(guān)損耗。
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒性。
4. 小巧的封裝尺寸與高效的散熱性能相結(jié)合,使其適用于緊湊型設(shè)計(jì)。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
G5335QT1U主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開關(guān)角色。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率級開關(guān)。
3. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)或保護(hù)開關(guān)。
4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的高低邊開關(guān)。
5. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理模塊。
6. 工業(yè)控制設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換部分。
IRF540N
STP14NM60
FDP18N60C