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PL70N10BG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 18:24:18 查看 閱讀�6

PL70N10BG 是一� N 沯道功率 MOSFET 芯片,屬� P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管系列。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換等�(chǎng)�。其封裝形式� TO-252(DPAK�,能夠承受較高的電壓和電流,適用于多種工�(yè)及消�(fèi)電子�(lǐng)��
  這款 MOSFET 通過�(yōu)化的制造工藝實(shí)�(xiàn)了較低的 Rds(on),從而提升了效率并降低了功�。此�,PL70N10BG 具有較強(qiáng)的雪崩能�,能夠在過載條件下提供額外保�(hù)�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�7A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.18Ω
  總功耗:36W
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝類型:TO-252(DPAK)

特�

PL70N10BG 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少�(dǎo)通損耗并提升整體效率�
  2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. �(qiáng)大的雪崩能量能力,提高了器件在異常條件下的可靠性�
  4. 小型化封裝設(shè)�(jì),便� PCB 布局并節(jié)省空間�
  5. 較寬的工作溫度范�,支持在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

PL70N10BG 可用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如步�(jìn)電機(jī)或無(wú)刷直流電�(jī)控制�
  3. 各類�(fù)載切換應(yīng)�,如 LED �(qū)�(dòng)和電池管理系�(tǒng)�
  4. 過流保護(hù)和短路保�(hù)電路�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)控制�
  6. 消費(fèi)電子�(chǎn)品中的電源管理模��

替代型號(hào)

IRF7404, FQP18N10, STP70NF10

pl70n10bg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)