PL70N10BG 是一� N 沯道功率 MOSFET 芯片,屬� P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管系列。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換等�(chǎng)�。其封裝形式� TO-252(DPAK�,能夠承受較高的電壓和電流,適用于多種工�(yè)及消�(fèi)電子�(lǐng)��
這款 MOSFET 通過�(yōu)化的制造工藝實(shí)�(xiàn)了較低的 Rds(on),從而提升了效率并降低了功�。此�,PL70N10BG 具有較強(qiáng)的雪崩能�,能夠在過載條件下提供額外保�(hù)�
最大漏源電壓:100V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�7A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.18Ω
總功耗:36W
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝類型:TO-252(DPAK)
PL70N10BG 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少�(dǎo)通損耗并提升整體效率�
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. �(qiáng)大的雪崩能量能力,提高了器件在異常條件下的可靠性�
4. 小型化封裝設(shè)�(jì),便� PCB 布局并節(jié)省空間�
5. 較寬的工作溫度范�,支持在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
PL70N10BG 可用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如步�(jìn)電機(jī)或無(wú)刷直流電�(jī)控制�
3. 各類�(fù)載切換應(yīng)�,如 LED �(qū)�(dòng)和電池管理系�(tǒng)�
4. 過流保護(hù)和短路保�(hù)電路�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)控制�
6. 消費(fèi)電子�(chǎn)品中的電源管理模��
IRF7404, FQP18N10, STP70NF10