PL521CS-30是一款高性能的功率MOSFET晶體�,主要應用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等場景。該器件采用N溝道增強型技�(shù),具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠在高頻應用中提供高效的性能�
該芯片通過�(yōu)化設�,實�(xiàn)了更小的封裝尺寸和更高的熱性能,使其能夠滿足現(xiàn)代電子設備對小型化和高效能的需��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
導通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)時間:開啟延遲時�12ns,上升時�7ns,關(guān)斷延遲時�28ns,下降時�9ns
工作溫度范圍�-55℃至175�
PL521CS-30采用了先進的制造工�,具備以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,在高電流應用場景下顯著降低功��
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻工作的電力電子設備�
3. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,在極端工作條件下仍能保持穩(wěn)定的性能�
4. 耐受能力�,能夠承受較高的瞬態(tài)電壓和電流沖擊�
5. 小型化封裝設計,有助于減少PCB占用空間,同時提升散熱效��
該器件廣泛應用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動與控制
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率調(diào)節(jié)
6. 汽車電子中的負載切換
IRFZ44N, STP30NF06L, FDP30N06S