時間：2025/5/20 18:55:50
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PL4N15D2 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高電子遷移率晶體管（HEMT），主要用于高頻、高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件具有高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻的特點，適用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及通信設(shè)備中的射頻放大器等領(lǐng)域。
這款芯片采用了先進的封裝技術(shù)以提升散熱性能和電氣特性，同時能夠支持較高的工作電壓，從而在各種復(fù)雜的電路環(huán)境中保持穩(wěn)定運行。
型號：PL4N15D2
類型：GaN HEMT
最大漏源電壓(Vds)：650V
最大柵源電壓(Vgs)：+6V/-8V
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：15mΩ
連續(xù)漏極電流(Id)：30A
功耗(Ptot)：200W
封裝形式：TO-247-3
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
PL4N15D2 的主要特性包括：
1. 高效的開關(guān)性能：由于氮化鎵材料的獨特性質(zhì)，使得該器件具備超快的開關(guān)速度和較低的開關(guān)損耗，非常適合高頻操作環(huán)境。
2. 低導(dǎo)通電阻：僅為15毫歐，有助于減少導(dǎo)通狀態(tài)下的能量損失，提高整體效率。
3. 高耐壓能力：可以承受高達650伏特的漏源電壓，滿足多種高壓應(yīng)用場景的需求。
4. 良好的熱性能：采用優(yōu)化的封裝設(shè)計，確保芯片在高溫條件下也能保持良好的散熱效果。
5. 易于驅(qū)動：兼容標準的邏輯電平信號輸入，簡化了與控制電路的接口設(shè)計。
PL4N15D2 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 電源適配器和充電器：利用其高效的開關(guān)特性來構(gòu)建緊湊型、高性能的電源解決方案。
2. 數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)：提供更高效的功率轉(zhuǎn)換，降低能耗。
3. 新能源汽車：用于車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等核心部件。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備：如伺服驅(qū)動器、逆變器等需要高可靠性電力傳輸?shù)牡胤健?br> 5. 通信基礎(chǔ)設(shè)施：服務(wù)于基站功率放大器和其他相關(guān)設(shè)備，增強信號覆蓋范圍并降低運營成本。
PL4N15D1
PL4N15D3
GaN Systems GS66508T
