PL30N03是一款N溝道增強型功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和高開關速度的特點。它適用于多種功率轉換應�,例如DC-DC轉換�、開關電�、電機驅動以及負載開關等。PL30N03的封裝形式通常為TO-220或SOT-223,能夠承受較高的電流和電�,并且具有良好的熱性能�
這款MOSFET在設計時充分考慮了效率與可靠性,其低導通電阻特性可以減少傳導損�,從而提高系�(tǒng)整體效率。同�,它的快速開關能力使其非常適合高頻開關應��
最大漏源電壓:40V
最大連續(xù)漏極電流�30A
最大柵源電壓:±20V
導通電阻(典型值)�8mΩ
總功耗:115W
結溫范圍�-55℃至+150�
柵極電荷�27nC
反向恢復時間�60ns
PL30N03具備以下關鍵特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有助于降低功率損耗并提升效率�
2. 高額定電流能�,支持大功率應用�
3. 快速開關速度,適合高頻工作環(huán)��
4. 較高的雪崩能量能�,增強了器件的耐用性和可靠��
5. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在較寬的溫度范圍內正常運��
6. 小尺寸封裝選項提供了更高的靈活性和緊湊的設計可能��
PL30N03廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關或同步整流元��
2. DC-DC轉換�,用于汽車電�、工�(yè)控制及消費類電子產品�
3. 各種電機驅動電路,如步進電�、無刷直流電機等�
4. 負載開關和保護電�,用于過流保護和短路保護�
5. 充電器解決方�,包括便攜式設備充電器和電動車充電器�
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中作為充放電控制開��
IRFZ44N
STP30NF03
FDP30N03L