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GA1206A8R2BXCBC31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 18:08:27 查看 閱讀�11

GA1206A8R2BXCBC31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體管,廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功��
  這款 MOSFET 屬于溝道增強(qiáng)型器�,支持高頻操�,并且具有良好的熱穩(wěn)定性和抗靜電能力(ESD 保護(hù))。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型化�(shè)�(jì),便于在緊湊型電路板中使用�

參數(shù)

型號(hào):GA1206A8R2BXCBC31G
  類型:MOSFET
  極性:N-channel
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�14A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ (典型�,在 Vgs=10V �(shí))
  柵極電荷(Qg)�35nC
  總功�(Ptot)�10W
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-252/DPAK

特�

GA1206A8R2BXCBC31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流應(yīng)用中減少功率損�,從而提升整體效��
  2. 快速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻操作場(chǎng)�,有助于減小磁性元件體積和降低成本�
  3. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提高了器件的可靠性和耐用性�
  4. 寬泛的工作溫度范圍使其適用于各種惡劣�(huán)境下的工�(yè)和汽車級(jí)�(yīng)��
  5. 小巧的封裝形式不僅節(jié)� PCB 空間,還增強(qiáng)了散熱能��

�(yīng)�

� MOSFET 常用于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源中的同步整流和初�(jí)�(cè)�(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載切換控制�
  4. 汽車電子�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和照明控��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)和信�(hào)傳輸�
  6. 各種便攜式電子產(chǎn)品中的高效功率管理模��

替代型號(hào)

IRF3205, AO3400A, FDP5500

ga1206a8r2bxcbc31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容8.2 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-