GA1206A8R2BXCBC31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體管,廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功��
這款 MOSFET 屬于溝道增強(qiáng)型器�,支持高頻操�,并且具有良好的熱穩(wěn)定性和抗靜電能力(ESD 保護(hù))。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型化�(shè)�(jì),便于在緊湊型電路板中使用�
型號(hào):GA1206A8R2BXCBC31G
類型:MOSFET
極性:N-channel
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�14A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ (典型�,在 Vgs=10V �(shí))
柵極電荷(Qg)�35nC
總功�(Ptot)�10W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-252/DPAK
GA1206A8R2BXCBC31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流應(yīng)用中減少功率損�,從而提升整體效��
2. 快速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻操作場(chǎng)�,有助于減小磁性元件體積和降低成本�
3. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提高了器件的可靠性和耐用性�
4. 寬泛的工作溫度范圍使其適用于各種惡劣�(huán)境下的工�(yè)和汽車級(jí)�(yīng)��
5. 小巧的封裝形式不僅節(jié)� PCB 空間,還增強(qiáng)了散熱能��
� MOSFET 常用于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源中的同步整流和初�(jí)�(cè)�(kāi)�(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載切換控制�
4. 汽車電子�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和照明控��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)和信�(hào)傳輸�
6. 各種便攜式電子產(chǎn)品中的高效功率管理模��
IRF3205, AO3400A, FDP5500