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PL2N06T6 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 9:22:19 查看 閱讀�25

PL2N06T6是一種基于MOSFET技�(shù)的功率場效應(yīng)晶體管(Power MOSFET),專為高電壓應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)器和DC-DC�(zhuǎn)換器等電路中。其額定電壓高達(dá)650V,能夠承受較高的漏源電壓,適用于需要高可靠性的工業(yè)和汽車環(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�4.1A
  �(dǎo)通電阻:3.2Ω
  柵極電荷�18nC
  總功耗:25W
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

PL2N06T6采用N溝道增強(qiáng)型結(jié)�(gòu),具備以下顯著特�(diǎn)�
  1. 高耐壓能力:支持高�(dá)650V的工作電�,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:在典型條件下,導(dǎo)通電阻僅�3.2Ω,有助于降低功率損��
  3. 快速開�(guān)性能:低柵極電荷和輸入電容使得器件能�?qū)崿F(xiàn)高速開�(guān)操作,減少開�(guān)損��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):優(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)確保了良好的散熱性能,延長了器件壽命�
  5. 寬工作溫度范圍:能夠�-55℃至175℃的極端溫度下穩(wěn)定運(yùn)行,適應(yīng)惡劣�(huán)境需��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn):材料環(huán)保,滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的綠色要求�

�(yīng)�

PL2N06T6主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主開�(guān)器件,用于AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換電��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制小型直流電�(jī)的速度和方��
  3. 逆變器:在光伏逆變器和其他電力�(zhuǎn)換系�(tǒng)中發(fā)揮關(guān)鍵作��
  4. 過流保護(hù):用作電子保�(xiǎn)絲以保護(hù)電路免受過載影響�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化:適用于各種工�(yè)�(shè)備中的功率控制模��
  6. 汽車電子:可用于車載充電器、LED�(qū)�(dòng)器和電動(dòng)車窗控制器等汽車相關(guān)�(yīng)��

替代型號(hào)

IRF640N
  STP10NK60Z
  FDP18N60
  IXFN40N65P2

pl2n06t6推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)