SI4922BDY 時(shí)間：2025/5/28 20:18:15 閱讀：7

SI4922BDY 是一款由 Vishay Siliconix 生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 SO-8 封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于多種高效能電源轉(zhuǎn)換和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
　　該芯片廣泛用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備以及通信領(lǐng)域中的開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：15A
　　導(dǎo)通電阻：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 時(shí)）
　　柵極電荷：27nC（典型值）
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間：開(kāi)啟延遲時(shí)間 13ns，上升時(shí)間 8.8ns，關(guān)斷延遲時(shí)間 32ns，下降時(shí)間 16ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55°C 至 +150°C

特性

SI4922BDY 提供了卓越的電氣性能，其關(guān)鍵特性如下：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可顯著降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)能力，有助于減少開(kāi)關(guān)損耗并支持高頻操作。
　　3. 具備強(qiáng)大的雪崩能量承受能力，增強(qiáng)了在異常情況下的可靠性。
　　4. 緊湊的 SO-8 封裝形式，便于 PCB 布局和散熱設(shè)計(jì)。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保，滿足國(guó)際法規(guī)要求。

應(yīng)用

SI4922BDY 的高性能使其適合應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）和適配器設(shè)計(jì)。
　　2. 各種 DC-DC 轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如降壓、升壓和反激變換器。
　　3. 高效負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制電路。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊。
　　6. 可再生能源系統(tǒng)中逆變器和控制器的部分組件。