PJRAS1X2S02X是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能功率開關(guān)晶體�,適用于高頻和高效率電源�(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),提供卓越的熱性能和電氣性能。其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度使其成為各種工業(yè)、消費類和通信�(shè)備中高效電源管理的理想選擇�
該晶體管�(shè)計用于在高頻率下工作,從而減小無源元件的尺寸并提高整體系�(tǒng)效率。此外,它還具有出色的耐用性和可靠性,能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定的性能�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�2A
�(dǎo)通電阻:150mΩ
柵極電荷�25nC
開關(guān)頻率:高�(dá)5MHz
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
PJRAS1X2S02X采用了氮化鎵材料,具備以下特點:
1. 高擊穿電壓:能夠承受高達(dá)600V的漏源電�,適合高壓應(yīng)用場��
2. 極低的導(dǎo)通電阻:僅為150mΩ,在高電流應(yīng)用中顯著降低功耗�
3. 快速開�(guān)能力:支持高�(dá)5MHz的開�(guān)頻率,可大幅減少磁性元件的體積和重量�
4. 出色的熱性能:優(yōu)化的封裝�(shè)計確保高效的散熱,延長器件壽��
5. 高效能表�(xiàn):相比傳�(tǒng)硅基MOSFET,該晶體管在相同條件下提供更高的�(zhuǎn)換效��
6. 小型化設(shè)計:緊湊的封裝形式節(jié)省了電路板空間,同時提升了系�(tǒng)的集成度�
PJRAS1X2S02X廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和小型化設(shè)計的�(lǐng)�,具體包括:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 無線充電�(shè)�
4. LED�(qū)動器
5. 消費電子適配�
6. 工業(yè)電機�(qū)�
7. 新能源汽車中的車載充電器和逆變�
8. 通信基站電源模塊
這款晶體管憑借其高頻率和高效率的特點,非常適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品對緊湊�(shè)計和節(jié)能減排的需��
PJRAS1X2S03X
PJRAS1X2S04X
PJRAS2X2S02X