SI9933BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 功率晶體管。該器件采用� TrenchFET 第三代技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻、高效率和出色的開關(guān)性能,適用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式� TO-263 (DPAK),能夠提供卓越的散熱性能�
� MOSFET 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包� DC/DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電池保�(hù)以及工業(yè)自動(dòng)化中的功率管理模��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�28A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.7mΩ(在 Vgs=10V �(shí)�
柵極電荷�56nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝類型:TO-263 (DPAK)
邏輯電平兼容:支�
SI9933BDY-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠在高頻開�(guān)條件下減少傳�(dǎo)損�,提高整體效率�
2. 高電流承載能�,適合大功率�(yīng)用�
3. 快速開�(guān)特性,有助于降低開�(guān)損耗并�(yōu)化動(dòng)�(tài)性能�
4. 寬工作溫度范�,使其適用于�(yán)苛環(huán)境下的工�(yè)和汽車應(yīng)��
5. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),確保在汽車�(jí)�(yīng)用中的可靠��
6. 小巧且高效的 DPAK 封裝�(shè)�(jì),簡(jiǎn)化了 PCB 布局并增�(qiáng)了熱管理性能�
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 汽車電子系統(tǒng)中的電機(jī)�(qū)�(dòng)和電池管理�
3. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
4. 電信基礎(chǔ)�(shè)施中的高效功率轉(zhuǎn)換模塊�
5. 筆記本電腦和移動(dòng)�(shè)備適配器中的同步整流解決方案�
SIH9933DN, IRF7733TRPBF, FDP5500NL