PIX90032NQ是一款高性能的MOSFET功率晶體�,屬于IXYS公司的TrenchFET系列。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式工藝技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能等特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于各種功率�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(chǎng)��
該器件為N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、逆變器、電�(dòng)工具以及工業(yè)控制等領(lǐng)�。其出色的電氣特性使得PIX90032NQ成為許多高效率、緊湊型�(shè)�(jì)的理想選��
型號(hào):PIX90032NQ
VDS(漏源極電壓):900V
RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�320mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):5.4A
Ptot(總功耗)�180W
fSW(最大工作開�(guān)頻率):100kHz
�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
封裝形式:TO-220AC
PIX90032NQ具有以下主要特性:
1. 高耐壓能力:高�(dá)900V的漏源極電壓使其適合高壓�(yīng)用環(huán)��
2. 低導(dǎo)通電阻:典型值僅�320mΩ,降低了�(dǎo)通損�,提高了系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能:優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì)確保了高效的開關(guān)切換�
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):采用先�(jìn)的封裝技�(shù)和芯片結(jié)�(gòu),具備良好的散熱能力�
5. 小尺寸封裝:TO-220AC封裝在提供高功率處理能力的同�(shí)保持了較小的體積,方便布局�(shè)�(jì)�
6. 工作溫度范圍廣:支持�-55℃到+150℃的�(jié)溫范圍,適應(yīng)多種極端�(huán)境條��
7. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格的�(cè)試和�(yàn)證,保證了長(zhǎng)期使用的�(wěn)定性和耐用��
PIX90032NQ的應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 逆變器和UPS系統(tǒng)
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�
4. DC-DC�(zhuǎn)換器
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
6. 電動(dòng)工具和家用電�
7. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng)中的充放電管�
其高壓和高效特性使它特別適合需要高功率密度和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��
IXTN90N10P2, IRFP460, STW120N10MD