PHPT610030NK是一款高性能的N溝道功率MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件適用于開關電源、電機驅�、負載開關以及其他需要高效功率轉換的應用場景。其低導通電阻和高擊穿電壓特性使其成為許多工�(yè)和消費類電子產品的理想選擇�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�61A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�78nC
功耗:18W
工作溫度范圍�-55� to +175�
PHPT610030NK具有超低導通電阻(Rds(on)�,能夠有效減少傳導損耗并提升系統(tǒng)效率�
此外,該器件具備快速開關性能,適合高頻應用環(huán)��
它還擁有強大的熱�(wěn)定性和魯棒性設計,確保在嚴苛條件下依然保持可靠運行�
由于采用了先進的制造工�,該芯片可以提供出色的電流承載能力以及較低的熱阻特�,有助于散熱管理�
另外,該產品符合RoHS標準,滿足環(huán)保要��
該芯片廣泛應用于直流-直流轉換�、不間斷電源(UPS)系統(tǒng)、逆變�、電動工具中的電機控制模�、LED驅動電路以及各種需要高效功率管理的場合�
其高電流處理能力和緊湊型封裝使得它非常適合空間受限但性能要求高的設計�
IRFZ44N, STP55NF06L, FDP5500