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PHD55N03LT 發(fā)布時間 時間�2025/6/9 18:43:42 查看 閱讀�9

PHD55N03LT 是一� N 灃道通態(tài)場效�(yīng)晶體管(MOSFET�,采� TO-263 封裝形式。該器件主要�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動等�(lǐng)�,具有低�(dǎo)通電阻和高電流處理能力的特點,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  � MOSFET 的最大漏源電壓為 55V,適合在中低壓環(huán)境下使用,同時其�(yōu)異的動態(tài)性能和熱�(wěn)定性使其成為眾多功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:55V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�9.6A
  �(dǎo)通電阻:7mΩ
  柵極電荷�18nC
  反向恢復(fù)時間�-
  功耗:44W
  工作溫度范圍�-55� � 150�

特�

PHD55N03LT 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型值下僅為 7mΩ,從而減少了�(dǎo)通狀�(tài)下的功率損��
  2. 高速開�(guān)性能,通過�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,可以快速切換以適應(yīng)高頻�(yīng)用需求�
  3. 提供卓越的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的電氣性能�
  4. 采用了先�(jìn)的制造工�,確保了器件的一致性和可靠性�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的�(yán)格要求�

�(yīng)�

PHD55N03LT 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于電池供電設(shè)備或汽車電子系統(tǒng)�
  3. 電機(jī)�(qū)動電�,適用于家用電器、工�(yè)控制和電動工��
  4. 各類�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. LED �(qū)動電路以及太陽能逆變器等功率管理�(yīng)��

替代型號

IRLZ44N, FDP55N03L, AO3402A

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