VHF201209H36NJT是一款高性能的功率MOSFET器件,主要應用于開關電源、電機驅動和DC-DC轉換器等場景。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和快速開關特性,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低能��
其封裝形式為TO-220,適合高電流密度應用場合,并且具備良好的散熱性能。VHF201209H36NJT在工�(yè)控制、消費電子以及通信設備中有著廣泛的應用�
最大漏源電壓:600V
最大連續(xù)漏極電流�12A
柵極閾值電壓:4V
導通電阻(典型值)�0.3Ω
總功耗:150W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. 高擊穿電壓設�,支持高�600V的工作環(huán)��
2. 極低的導通電阻,減少傳導損�,提升整體效率�
3. 快速開關速度,降低開關損�,適用于高頻應用場景�
4. �(nèi)置ESD保護電路,增強器件的可靠��
5. 良好的熱�(wěn)定性和耐用�,確保長期使用下的性能一致��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設��
1. 開關電源(SMPS)設計中的主開關管或同步整流管�
2. 工業(yè)電機驅動及逆變器控��
3. DC-DC轉換器中的功率開關�
4. 充電器及適配器中的功率調節(jié)元件�
5. 各類消費類電子產(chǎn)品中的高壓負載切��
6. 電池管理系統(tǒng)中的保護開關�
VHF201209H36NJS, IRF840, STP12NM60