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PESDALC10N5VUL 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 13:17:47 查看 閱讀�19

PESDALC10N5VUL是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET�。該器件具有高開(kāi)�(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和出色的熱性能,適用于高頻功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。其�(shè)�(jì)旨在替代傳統(tǒng)的硅基MOSFET,在效率和尺寸方面提供顯著優(yōu)�(shì)�
  該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),優(yōu)化了電氣和熱性能,使其非常適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電源適配器、無(wú)�(xiàn)充電器以及其他需要高效功率管理的�(chǎng)��

參數(shù)

型號(hào):PESDALC10N5VUL
  �(lèi)型:增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體� (eGaN FET)
  材料:氮化鎵 (GaN)
  最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�13A
  �(dǎo)通電阻:8mΩ(典型值)
  柵極電荷�1.9nC(典型值)
  �(kāi)�(guān)頻率范圍:高�(dá)�(shù)MHz
  封裝形式:LLLP2x2-8(表面貼裝)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

PESDALC10N5VUL的主要特�(diǎn)是利用氮化鎵材料�(shí)�(xiàn)卓越的電氣性能。與傳統(tǒng)硅MOSFET相比,它具有更低的導(dǎo)通電阻和更小的柵極電�,從而降低了傳導(dǎo)損耗和�(kāi)�(guān)損��
  此外,由于其高頻操作能力,可以顯著減小無(wú)源元件的尺寸和重量,例如變壓器和電感,使得整體系�(tǒng)更加緊湊�
  器件還具備快速的�(kāi)�(guān)速度,這有助于提高功率密度并減少電磁干擾(EMI�。同�(shí),該器件在高溫下的穩(wěn)定性也十分出色,能夠適�(yīng)惡劣的工作環(huán)��
  總體而言,PESDALC10N5VUL是現(xiàn)代高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇,可大幅提高系統(tǒng)效率和可靠��

�(yīng)�

PESDALC10N5VUL適用于多種高頻功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  - DC-DC�(zhuǎn)換器
  - �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
  - 電源適配器和充電�
  - �(wú)�(xiàn)充電�(shè)�
  - 汽車(chē)電子中的�(fù)載點(diǎn)�(zhuǎn)�
  - 工業(yè)自動(dòng)化中的高效驅(qū)�(dòng)控制
  - 能量回收系統(tǒng)
  這些�(yīng)用中,PESDALC10N5VUL憑借其高速開(kāi)�(guān)特性和低功耗表�(xiàn),能有效提升系統(tǒng)的整體性能�

替代型號(hào)

PSMN0R9ENxJL, PSMN0R9ENxKL

pesdalc10n5vul推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)