GA1210A121GBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和工業(yè)控制等領(lǐng)�。該芯片采用了先進的半導(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能等特��
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器�,能夠承受較高的漏源電壓,并在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色。其封裝形式和電氣參�(shù)使其非常適合用于需要高效能和高可靠性的電路�(shè)��
型號:GA1210A121GBAAR31G
類型:N溝道功率MOSFET
最大漏源電壓(Vds):1200V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
最大漏極電流(�(dǎo)通電阻(Rds(on)):120mΩ
功耗:120W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:TO-247
GA1210A121GBAAR31G 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,可支持高達 1200V 的漏源電�,適用于高壓�(huán)境下的應(yīng)��
2. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有效降低功率損耗,提高整體效率�
3. 快速開�(guān)特�,有助于減少開關(guān)損耗并提升系統(tǒng)響應(yīng)速度�
4. �(yōu)異的熱性能�(shè)�,確保在高功率應(yīng)用場景下保持�(wěn)定運��
5. 寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)極端�(huán)境條件下的使用需求�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
該功� MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和直�-直流�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機�(qū)動電�,如無刷直流電機 (BLDC) 控制器�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與控制模��
4. 太陽能逆變器和其他新能源相�(guān)�(shè)備中的功率管理部��
5. 各種需要高效能功率切換的應(yīng)用場��
GA1210A122GBAAR31G, IRFP460, STW12NM120