PAU1626BI-S1R1是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理�(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種高效能轉(zhuǎn)換電�。其封裝形式為SOP-8,適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,廣泛用于消�(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備及通信�(shè)備中�
該型號的MOSFET特別�(yōu)化了�(dòng)�(tài)性能和靜�(tài)性能之間的平�,使其在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色。同�(shí),其出色的熱特性和電氣特性確保了在高�(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�3.7A
�(dǎo)通電阻:55mΩ(典型�,Vgs=10V�
總功耗:1.4W
�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
封裝:SOP-8
1. 低導(dǎo)通電�,有助于降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高開�(guān)速度,減少開�(guān)損�,適�(yīng)高頻�(yīng)用需��
3. SOP-8封裝,支持自�(dòng)化生�(chǎn),節(jié)省PCB空間�
4. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持良好的性能�
5. 可靠性高,經(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量檢�,滿足多種工�(yè)�(biāo)�(zhǔn)要求�
6. 低柵極電�,簡化驅(qū)�(dòng)�(shè)�(jì)并降低驅(qū)�(dòng)功��
7. 提供過流保護(hù)功能,增�(qiáng)系統(tǒng)的安全性和�(wěn)定��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和電流控制�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�,實(shí)�(xiàn)充放電保�(hù)�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)�
5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)中的功率級元件�
6. 電信�(shè)備中的電源管理模��
7. LED�(qū)�(dòng)電路,提供高效的電流�(diào)節(jié)能力�
PAU1626BI-S2R1
IRLZ44N
FQP30N06L