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PL1N60T89 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/20 9:01:09 查看 閱讀：19

PL1N60T89是一種高壓、高頻率的N溝道功率MOSFET，采用TO-220封裝形式。它適用于各種開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度，能夠有效減少功率損耗并提高整體效率。
　　這種MOSFET以其穩(wěn)健的設(shè)計(jì)和優(yōu)異的性能而聞名，非常適合于需要高可靠性和高效能的應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

最大漏源電壓：600V
　　連續(xù)漏極電流：4.5A
　　導(dǎo)通電阻：7.5Ω
　　柵極電荷：15nC
　　開關(guān)時(shí)間：ton=55ns, toff=35ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至+150℃

特性

PL1N60T89具備出色的電氣特性和可靠性，主要特點(diǎn)包括：
　　1. 高耐壓能力（600V），能夠在惡劣條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
　　2. 較低的導(dǎo)通電阻（7.5Ω），可顯著降低傳導(dǎo)損耗。
　　3. 快速的開關(guān)速度，有助于提高工作效率并減少電磁干擾。
　　4. 具備強(qiáng)大的雪崩能量承受能力，增強(qiáng)了系統(tǒng)在異常情況下的保護(hù)性能。
　　5. 小巧緊湊的TO-220封裝設(shè)計(jì)，便于安裝與散熱管理。
　　6. 廣泛的工作溫度范圍（-55℃至+150℃），適應(yīng)多種環(huán)境需求。

應(yīng)用

PL1N60T89廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中用于升壓或降壓操作的核心組件。
　　3. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，如步進(jìn)電機(jī)和直流無刷電機(jī)控制。
　　4. 逆變器及不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。
　　5. 能量回收裝置及工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊。

替代型號(hào)

IRF650N, STP60NE06, FDP60N06L

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