P5506HVG是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)器件,主要用于開�(guān)和放大應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高效率以及良好的熱性能。它適用于多種電子設(shè)備中的電源管�、電�(jī)�(qū)動和其他功率�(zhuǎn)換場��
型號:P5506HVG
類型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源極電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ(典型�,在特定條件下)
ID(連續(xù)漏極電流):118A
功耗:175W
封裝形式:TO-220
工作溫度范圍�-55� to +175�
1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效減少功率損耗�
2. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的可靠性�
3. 快速開�(guān)速度,有助于提高系統(tǒng)的整體效率�
4. 提供出色的熱�(wěn)定�,適合長時間高溫�(huán)境運(yùn)行�
5. 具備�(yōu)異的電氣性能和耐用�,適用于各種工業(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)��
6. 封裝緊湊且易于焊�,方便集成到�(fù)雜電路中�
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的功率�(zhuǎn)��
2. 電動工具、家用電器中的電�(jī)�(qū)動控��
3. LED照明系統(tǒng)中的恒流�(qū)動電��
4. 各類電池保護(hù)電路和負(fù)載切換�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和電�(jī)控制�
其卓越的性能使其成為眾多功率密集型應(yīng)用場景的理想選擇�
P5506HV, IRF540N, FDP5506