P30NF10是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件通常用于�(kāi)�(guān)和功率管理應(yīng)用,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于需要高效率和低損耗的�(chǎng)��
該MOSFET采用TO-252封裝形式,使其在緊湊的設(shè)�(jì)中具備良好的散熱性能。它廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制、通信�(shè)備等�(lǐng)域�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:8mΩ
柵極電荷�20nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟延遲時(shí)�40ns,上升時(shí)�15ns,關(guān)斷延遲時(shí)�26ns,下降時(shí)�9ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
P30NF10擁有低導(dǎo)通電阻特�,從而減少導(dǎo)通時(shí)的能量損�。其快速的�(kāi)�(guān)速度確保了高效能表現(xiàn),特別是在高頻應(yīng)用場(chǎng)��
該器件具備較高的雪崩擊穿能量承受能力,增�(qiáng)了系�(tǒng)在異常情況下的可靠��
P30NF10還支持較低的柵極�(qū)�(dòng)電壓,簡(jiǎn)化了與邏輯電路的接口�(shè)�(jì)。同�(shí),由于采用了先�(jìn)的制造工�,保證了�(zhǎng)期工作的�(wěn)定性和一致性�
P30NF10適合多種�(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于直�-直流�(zhuǎn)換器中的同步整流、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路、電池保�(hù)以及各類(lèi)電源管理模塊�
此外,該MOSFET也適用于太陽(yáng)能逆變�、LED�(qū)�(dòng)器等�(duì)效率要求較高的領(lǐng)��
IRFZ44N
STP30NF10
FDP30N10