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CDR31BP360BKZPAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 22:03:46 查看 閱讀�17

CDR31BP360BKZPAT是一款高性能的功率MOSFET器件,采用TO-263封裝形式。該器件主要適用于高效率開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)器和DC/DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)�。其�(shè)�(jì)具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))、高電流處理能力和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),可有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
  該功率MOSFET為N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體�,能夠承受較高的漏源電壓(Vds),同時(shí)具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,適用于各種工業(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備中�

參數(shù)

類型:N溝道功率MOSFET
  封裝:TO-263
  最大漏源電壓(Vds):600V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  持續(xù)漏極電流(Id):16A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):360mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  總功耗:27W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

CDR31BP360BKZPAT具有以下顯著特性:
  1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
  2. 快速開�(guān)速度,適合高頻開�(guān)�(yīng)用場��
  3. 高擊穿電壓能�,確保在高壓條件下也能可靠運(yùn)��
  4. �(yōu)化的熱性能,允許更高的功率密度�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛工藝�
  6. 可靠性經(jīng)過嚴(yán)格測試,滿足長期使用需��

�(yīng)�

該功率MOSFET適用于多種電力電子場�,包括但不限于以下應(yīng)用:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
  2. DC/DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或降壓升壓電��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的H橋或半橋�?fù)�?br>  4. 太陽能逆變器中的功率級(jí)控制�
  5. 各種工業(yè)自動(dòng)化和家電控制模塊中的�(fù)載切換功能�
  6. 過流保護(hù)和短路保�(hù)電路中的�(guān)鍵元��

替代型號(hào)

IRF840, STP16NF06L, FDP16N60C

cdr31bp360bkzpat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容36 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�P�0.1%�
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"�1.30mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-