CDR31BP360BKZPAT是一款高性能的功率MOSFET器件,采用TO-263封裝形式。該器件主要適用于高效率開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)器和DC/DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)�。其�(shè)�(jì)具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))、高電流處理能力和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),可有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
該功率MOSFET為N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體�,能夠承受較高的漏源電壓(Vds),同時(shí)具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,適用于各種工業(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備中�
類型:N溝道功率MOSFET
封裝:TO-263
最大漏源電壓(Vds):600V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
持續(xù)漏極電流(Id):16A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):360mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
總功耗:27W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
CDR31BP360BKZPAT具有以下顯著特性:
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
2. 快速開�(guān)速度,適合高頻開�(guān)�(yīng)用場��
3. 高擊穿電壓能�,確保在高壓條件下也能可靠運(yùn)��
4. �(yōu)化的熱性能,允許更高的功率密度�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛工藝�
6. 可靠性經(jīng)過嚴(yán)格測試,滿足長期使用需��
該功率MOSFET適用于多種電力電子場�,包括但不限于以下應(yīng)用:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. DC/DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或降壓升壓電��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的H橋或半橋�?fù)�?br> 4. 太陽能逆變器中的功率級(jí)控制�
5. 各種工業(yè)自動(dòng)化和家電控制模塊中的�(fù)載切換功能�
6. 過流保護(hù)和短路保�(hù)電路中的�(guān)鍵元��
IRF840, STP16NF06L, FDP16N60C