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OSG65R125H 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 12:54:38 查看 閱讀�21

OSG65R125H是一款基于硅 carbide(SiC)技�(shù)的MOSFET功率晶體�。該器件具有高擊穿電�、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度等特性,非常適合用于高頻開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、光伏逆變器以及其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��
  這款MOSFET采用了先�(jìn)的封裝工藝,能夠有效提升散熱性能并降低寄生電感對開關(guān)性能的影�。由于其材料特性和�(shè)�(jì)�(yōu)化,OSG65R125H在高溫環(huán)境下依然保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  最大連續(xù)漏極電流�65A
  �(dǎo)通電阻:125mΩ(典型�,在25°C下)
  柵極閾值電壓:3.5V~5.5V
  最大工作結(jié)溫:175°C
  熱阻(結(jié)到殼):0.15°C/W
  總柵極電荷:80nC
  輸入電容�1200pF

特�

OSG65R125H采用碳化硅(SiC)技�(shù)制造,因此具備以下顯著特性:
  1. 高電壓能力:支持高達(dá)1200V的工作電�,適合高壓應(yīng)用環(huán)境�
  2. 低導(dǎo)通損耗:其典型的�(dǎo)通電阻僅�125mΩ,從而大幅降低了�(dǎo)通狀�(tài)下的功��
  3. 快速開�(guān)速度:由于SiC材料的優(yōu)異特�,器件能夠在納秒級別完成開關(guān)操作,同�(shí)減少了開�(guān)損��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):最高工作結(jié)溫可�(dá)175°C,保證了在極端溫度條件下的可靠��
  5. 高效率:在高頻工作條件下仍能維持較高的系�(tǒng)效率,特別適用于要求高效的電力電子設(shè)��
  6. 耐熱性能好:通過�(yōu)化封裝結(jié)�(gòu),�(jìn)一步提升了器件的散熱能�,延長使用壽��

�(yīng)�

OSG65R125H廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 高頻開關(guān)電源:如�(shù)�(jù)中心電源模塊、通信基站電源�,能夠提供更高效的電能轉(zhuǎn)��
  2. 電動汽車:包括主�(qū)逆變�、車載充電器以及DC-DC�(zhuǎn)換器等核心組��
  3. 工業(yè)自動化:例如伺服�(qū)動器、機(jī)器人控制器和不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
  4. 光伏逆變器:提高太陽能發(fā)電系�(tǒng)的整體效��
  5. �(fēng)力發(fā)電機(jī):作為變流器中的�(guān)鍵功率器�,確保穩(wěn)定輸出�

替代型號

CMF65R120D,
  C2M0065120D,
  FGL65T12W,
  STPSC65H12Y

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