OSG65R125H是一款基于硅 carbide(SiC)技�(shù)的MOSFET功率晶體�。該器件具有高擊穿電�、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度等特性,非常適合用于高頻開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、光伏逆變器以及其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��
這款MOSFET采用了先�(jìn)的封裝工藝,能夠有效提升散熱性能并降低寄生電感對開關(guān)性能的影�。由于其材料特性和�(shè)�(jì)�(yōu)化,OSG65R125H在高溫環(huán)境下依然保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:1200V
最大連續(xù)漏極電流�65A
�(dǎo)通電阻:125mΩ(典型�,在25°C下)
柵極閾值電壓:3.5V~5.5V
最大工作結(jié)溫:175°C
熱阻(結(jié)到殼):0.15°C/W
總柵極電荷:80nC
輸入電容�1200pF
OSG65R125H采用碳化硅(SiC)技�(shù)制造,因此具備以下顯著特性:
1. 高電壓能力:支持高達(dá)1200V的工作電�,適合高壓應(yīng)用環(huán)境�
2. 低導(dǎo)通損耗:其典型的�(dǎo)通電阻僅�125mΩ,從而大幅降低了�(dǎo)通狀�(tài)下的功��
3. 快速開�(guān)速度:由于SiC材料的優(yōu)異特�,器件能夠在納秒級別完成開關(guān)操作,同�(shí)減少了開�(guān)損��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):最高工作結(jié)溫可�(dá)175°C,保證了在極端溫度條件下的可靠��
5. 高效率:在高頻工作條件下仍能維持較高的系�(tǒng)效率,特別適用于要求高效的電力電子設(shè)��
6. 耐熱性能好:通過�(yōu)化封裝結(jié)�(gòu),�(jìn)一步提升了器件的散熱能�,延長使用壽��
OSG65R125H廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻開關(guān)電源:如�(shù)�(jù)中心電源模塊、通信基站電源�,能夠提供更高效的電能轉(zhuǎn)��
2. 電動汽車:包括主�(qū)逆變�、車載充電器以及DC-DC�(zhuǎn)換器等核心組��
3. 工業(yè)自動化:例如伺服�(qū)動器、機(jī)器人控制器和不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
4. 光伏逆變器:提高太陽能發(fā)電系�(tǒng)的整體效��
5. �(fēng)力發(fā)電機(jī):作為變流器中的�(guān)鍵功率器�,確保穩(wěn)定輸出�
CMF65R120D,
C2M0065120D,
FGL65T12W,
STPSC65H12Y