S6B-PH-SM4-TB是一款高性能的功率MOSFET晶體�,專為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電源管理模塊以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)��
這款功率MOSFET具備�(yōu)秀的熱�(wěn)定性和耐壓能力,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠�。其封裝形式�(jīng)�(guò)�(yōu)化,確保良好的散熱性能,并兼容自動(dòng)化裝配工��
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ
總功�(Ptot)�150W
工作溫度范圍(Ta)�-55� to +175�
封裝形式:TO-247
S6B-PH-SM4-TB采用了先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù),具備以下主要特�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效減少功率損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)�,降低開(kāi)�(guān)損��
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的耐受能力�
4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,保證了器件在高溫環(huán)境下的可靠運(yùn)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)�,適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的�(huán)保要��
此外,該器件還支持多種保�(hù)功能,例如過(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),從而�(jìn)一步提升了整體系統(tǒng)的安全��
S6B-PH-SM4-TB廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS),用于高效能的直�-直流�(zhuǎn)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,適用于工業(yè)自動(dòng)化和家用電器中的電機(jī)控制�
3. 通信電源系統(tǒng),提供穩(wěn)定的電源輸出以滿足通信�(shè)備的需��
4. 太陽(yáng)能逆變�,作為關(guān)鍵的功率�(kāi)�(guān)元件,實(shí)�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)��
5. LED照明�(qū)�(dòng)電路,提供高效率和高�(wěn)定性的�(qū)�(dòng)方案�
由于其優(yōu)異的性能,這款MOSFET特別適合需要高�、快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)��
IRFP2907, FDP18N60C, STP30NF06L