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NVTFS5116PLTAG 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 13:26:37 查看 閱讀�32

NVTFS5116PLTAG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)制造的 N 沃爾特溝道功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,適合用于高頻開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用。其采用符合行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)� TO-263 封裝形式,提供出色的散熱性能�
  該型號屬� PowerTrench 技�(shù)系列,優(yōu)化了動態(tài)和靜�(tài)特性以滿足高性能需求。它在設(shè)計中能夠顯著降低功耗并提高效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  最大連續(xù)漏電流:9.7A
  最大柵源電壓:±20V
  �(dǎo)通電阻(典型值)�8mΩ
  總柵極電荷:12nC
  輸入電容�1240pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:TO-263

特�

NVTFS5116PLTAG 提供非常低的�(dǎo)通電� (Rds(on)),這使其成為高效能�(yīng)用的理想選擇。同�,該器件的高開關(guān)速度可減少開�(guān)損�,從而提升整體系�(tǒng)效率。此外,其具備良好的熱穩(wěn)定性和耐用�,能夠在高溫�(huán)境下長期可靠�(yùn)��
  主要特點(diǎn)包括�
  - 極低的導(dǎo)通電� (8mΩ 典型�),可降低傳導(dǎo)損耗�
  - 高頻操作能力,適用于快速開�(guān)場景�
  - 增強(qiáng)的雪崩能量能�,提升了系統(tǒng)的魯棒性�
  - 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
  - �(yōu)化的封裝�(shè)計有助于改善散熱表現(xiàn)�

�(yīng)�

NVTFS5116PLTAG 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場�。典型應(yīng)用包括但不限于以下領(lǐng)域:
  - 開關(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
  - 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級元件�
  - 各種�(fù)載開�(guān)�(yīng)用,如服�(wù)�、通信�(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)��
  - 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率管理模塊�
  - 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制單元�
  由于其出色的性能,這款 MOSFET 特別適合那些對效率和可靠性有�(yán)格要求的�(shè)計項目�

替代型號

NVTFS5118NL, NVTFS5120NL

nvtfs5116pltag推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nvtfs5116pltag資料 更多>

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nvtfs5116pltag�(chǎn)�

nvtfs5116pltag參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C52 毫歐 @ 7A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1258pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-WDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-WDFN�3.3x3.3�
  • 包裝帶卷 (TR)