IPD50N03S4L-06是一款N溝道功率MOSFET,采用SuperSO8封裝形式。該器件具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適用于高效率的電源�(zhuǎn)換和電機�(qū)動等�(yīng)用。其額定電壓�30V,持�(xù)電流能力�50A,適合在中低電壓�(huán)境下工作�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�50A
導通電阻(典型值)�4mΩ
柵極電荷�25nC
開關(guān)時間:ton=11ns, toff=9ns
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
IPD50N03S4L-06采用了先進的半導體制造工�,具備以下顯著特點:
1. 極低的導通電�,在高溫條件下仍能保持高效性能�
2. 快速的開關(guān)速度有效降低開關(guān)損�,提升整體系�(tǒng)效率�
3. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內(nèi)可靠運行�
4. �(nèi)置ESD保護功能,增強芯片抗靜電能力�
5. SuperSO8封裝形式有助于提高散熱性能,并且易于PCB布局�(shè)計�
該MOSFET廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于:
1. DC-DC�(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
2. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
3. 電機控制與驅(qū)動,例如無刷直流電機(BLDC)驅(qū)��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電��
IPB50N03L-06, IPP50N03S4-06