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NVMFS5113PLT1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/21 19:45:38 查看 閱讀：11

NVMFS5113PLT1G 是一款由安森美（onsemi）生產(chǎn)的超低電容 TVS 二極管陣列，專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)線和 I/O 端口免受 ESD（靜電放電）、EFT（電快速瞬變）和其他瞬態(tài)電壓威脅而設(shè)計(jì)。該器件采用雙向鉗位結(jié)構(gòu)，具有極低的負(fù)載電容，適合高速信號(hào)傳輸應(yīng)用。
　　其封裝形式為 SOT-23-6 封裝，能夠提供出色的 ESD 防護(hù)性能，并滿足國際標(biāo)準(zhǔn)如 IEC 61000-4-2 和 MIL-STD-883 的要求。

參數(shù)

額定電壓：5.1V
　　最大反向工作電壓：5.6V
　　擊穿電壓：5.9V
　　峰值脈沖電流：9.1A
　　箝位電壓：10.2V
　　結(jié)電容：1.1pF
　　響應(yīng)時(shí)間：1ps
　　漏電流：1uA
　　封裝類型：SOT-23-6

特性

NVMFS5113PLT1G 具備以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 極低的負(fù)載電容（1.1pF），非常適合高速接口如 USB、HDMI 和 DisplayPort 的保護(hù)。
　　2. 快速響應(yīng)時(shí)間（1ps），確保在瞬態(tài)事件發(fā)生時(shí)迅速進(jìn)行防護(hù)。
　　3. 雙向鉗位結(jié)構(gòu)支持對(duì)稱性保護(hù)，適用于雙極性信號(hào)線路。
　　4. 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車級(jí)應(yīng)用。
　　5. 提供強(qiáng)大的 ESD 防護(hù)能力，達(dá)到 ±30kV（空氣放電）和 ±30kV（接觸放電）。
　　6. 小型化封裝（SOT-23-6）有助于節(jié)省 PCB 空間。

應(yīng)用

這款 TVS 二極管廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、通信設(shè)備以及汽車領(lǐng)域中的高速數(shù)據(jù)接口保護(hù)。具體應(yīng)用場(chǎng)景包括：
　　1. USB 2.0/3.0 數(shù)據(jù)線保護(hù)。
　　2. HDMI 和 DisplayPort 接口防護(hù)。
　　3. 汽車信息娛樂系統(tǒng)的 CAN 總線和 LIN 總線保護(hù)。
　　4. 移動(dòng)設(shè)備中的射頻前端防護(hù)。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的 RS-232/RS-485 通信鏈路保護(hù)。

替代型號(hào)

NUP2113T1G, PESD5V1X1BLTMA, SMAJ5.0A

nvmfs5113plt1g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nvmfs5113plt1g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ￥22.82000剪切帶（CT）1,500 : ￥11.20851卷帶（TR）
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）60 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)10A（Ta），64A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）14 毫歐 @ 17A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）83 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）4400 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）3.8W（Ta），150W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN，5 引線