NVF2955T1G是一款高性能的N溝道增強型MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件適用于高效率開關電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開關以及電機驅(qū)動等應用領域。其低導通電阻和高電流處理能力使其成為需要高效能功率管理系統(tǒng)的理想選��
該MOSFET的工作電壓范圍寬�,能夠承受高�60V的漏源極電壓,同時具備快速開關特性以減少開關損�。此�,NVF2955T1G還具有出色的熱性能和可靠�,確保在各種嚴苛�(huán)境下的穩(wěn)定運行�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�80A
導通電阻:1.2mΩ(典型值)
總柵極電荷:76nC
輸入電容�4050pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
NVF2955T1G具有以下主要特性:
1. 極低的導通電�,有助于降低傳導損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高電流承載能�,可滿足大功率應用需求�
3. 快速開關速度,減少開關過程中的能量損失�
4. 較高的雪崩擊穿能力和堅固的ESD防護設計,增強了器件的可靠��
5. 符合RoHS標準,綠色環(huán)��
6. 支持表面貼裝技術(SMD�,簡化了制造流程并提高了生�(chǎn)效率�
該器件適用于多種電力電子應用,包括但不限于:
1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關或同步整流元��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關或同步整流器�
3. 各類負載開關,例如服務器、通信設備和工�(yè)控制中的負載管理�
4. 電池管理系統(tǒng)中的保護開關�
5. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動電��
6. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應用場景�
IRF3710,
FDP017N06L,
STP80NF06,
IXYS5N60P3