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NVD4813NHT4G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 18:43:53 查看 閱讀�9

NVD4813NHT4G是一款高性能的MOSFET功率晶體管,屬于N溝道增強(qiáng)型器�。該�(chǎn)品采用TO-263封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等場(chǎng)景。其�(shè)�(jì)注重效率與可靠�,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需求�
  該型�(hào)由知名半�(dǎo)體制造商生產(chǎn),具體廠商信息需根據(jù)�(shí)際供�(yīng)渠道確認(rèn)。其�(yōu)異的電氣性能使其在眾多工�(yè)及消�(fèi)類應(yīng)用中備受青睞�

參數(shù)

最大漏源電壓:50V
  連續(xù)漏極電流�29A
  �(dǎo)通電阻:4.8mΩ
  柵極電荷�25nC
  開關(guān)�(shí)間:典型�10ns(開啟)�25ns(關(guān)閉)
  �(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

NVD4813NHT4G的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,支持大功率�(yīng)用場(chǎng)��
  3. 快速開�(guān)特�,適用于高頻工作�(huán)境�
  4. 良好的熱�(wěn)定�,確保在寬溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)行�
  5. TO-263封裝提供出色的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
  7. �(nèi)部設(shè)�(jì)�(yōu)化以減少寄生電感和電容影�,從而改善EMI表現(xiàn)�

�(yīng)�

該器件適合以下應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流功能�
  2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
  3. 汽車電子中的電機(jī)�(qū)�(dòng)與負(fù)載切��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和信號(hào)處理�
  5. 各種便攜式設(shè)備中的高效DC-DC�(zhuǎn)換�
  6. 高頻逆變器和光伏微型逆變器的核心組件�

替代型號(hào)

NVD4814NHT4G, IRFZ44N, FDP5500

nvd4813nht4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nvd4813nht4g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)7.6A(Ta),40A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�11.5V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)13 毫歐 @ 30A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)10 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)940 pF @ 12 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.27W(Ta��35.3W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�DPAK
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63