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NVD2955T4G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 12:24:12 查看 閱讀�8

NVD2955T4G是一款高性能、大容量的DDR5�(nèi)存模塊芯�,專為服�(wù)器、工作站和高端計(jì)算設(shè)備設(shè)�(jì)。該芯片支持最新的DDR5�(biāo)�(zhǔn),提供更快的�(shù)�(jù)傳輸速率和更低的功耗,適用于需要高帶寬和低延遲的應(yīng)用場�。其高度集成的設(shè)�(jì)使其成為�(xiàn)代數(shù)�(jù)中心和云�(jì)算平臺的理想選擇�
  這款芯片采用了先�(jìn)的制程工藝,在提升性能的同�(shí)顯著降低了能�。此外,它還具備糾錯(cuò)碼(ECC)功�,能夠有效提高數(shù)�(jù)的完整性和可靠��

參數(shù)

類型:DDR5�(nèi)存芯�
  容量�4GB
  位寬:x8/x16
  工作電壓�1.1V
  �(shù)�(jù)速率�4800MT/s - 6400MT/s
  封裝形式:BGA
  引腳�(shù)�72-ball
  溫度范圍�-40°C � +125°C

特�

NVD2955T4G具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 支持DDR5�(guī)�,提供更高的�(shù)�(jù)傳輸速率和帶寬�
  2. �(nèi)置ECC功能,可檢測并糾正單比特�(cuò)�,從而提高系�(tǒng)�(wěn)定��
  3. 使用更小的工作電壓(1.1V),相比前代�(chǎn)品更加節(jié)��
  4. 高密度設(shè)�(jì),能夠在有限的空間內(nèi)�(shí)�(xiàn)更大的存儲容量�
  5. 提供多種�(shù)�(jù)速率選項(xiàng),滿足不同應(yīng)用場景的需��
  6. 具有出色的熱管理性能,確保在長時(shí)間運(yùn)行中保持�(wěn)��
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),采用環(huán)保材料制��

�(yīng)�

NVD2955T4G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 企業(yè)級服�(wù)器和高性能�(jì)算平��
  2. �(shù)�(jù)中心和云�(jì)算基�(chǔ)�(shè)��
  3. 工作站和圖形處理單元(GPU)加速器�
  4. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)�,如路由器和交換�(jī)�
  5. �(yī)療成像和科學(xué)�(jì)算等對內(nèi)存性能要求極高的應(yīng)��
  6. AI�(xùn)練和推理系統(tǒng),支持深度學(xué)�(xí)框架的高效運(yùn)行�

替代型號

NVD2955T8G, NVD2950T4G, NVD2960T4G

nvd2955t4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

nvd2955t4g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)12A(Ta�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)180 毫歐 @ 6A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)30 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)750 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)55W(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�DPAK
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63