NTMS10P02R2G技�(shù)參數(shù)
源漏極間雪崩電壓VBR(V)�20
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ)�14
最大漏極電流Id(on)(A)�1.600
通道極性:P溝道
封裝/溫度(�):SOIC-8/-55 ~150
描述�20 V, 10 A功率MOSFET
IC型號索引� A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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